InGaAs

В России выделено финансирование на создание материалов для диодных лазеров для радиоэлектронной промышленности

В 2025-2026 годах по госпрограмме в России будет выполнена разработка технологии и создано опытно-промышленное производство квантоворазмерных гетероэпитаксиальных структурах на базе...

Российское предприятие показало свои разработки ЭКБ на основе арсенида галлия и не только

Компания «Оптрон» (Москва) в апреле 2024 года представила на российской специализированной выставке «Связь-2024» свою современную продукцию, созданную для замены импортных...