ИФП СО РАН

Российский ученый: В современной технике нужны микросхемы самых разных размеров

Эксперт в области микроэлектроники директор Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск) академик Александр Латышев рассказал в интервью...

О первой Всероссийской конференции «Радиофизика, фотоника и исследование свойств вещества»

Омск стал местом проведения первой конференции ученых России, работающих по темам современной функциональной электроники, фотоники, задач, связанных с моделированием радиофизических...

Российские ученые создают установку для выращивания полупроводников в космосе

Исследователи Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (СО РАН) подготовили к испытаниям опытный образец комплекса отечественной научной аппаратуры...

Передовые российские решения для электроники будущего: Созданы нанопереключатели на основе двуокиси ванадия

Ученые из Новосибирского Академгородка первыми в мире получили нанопереключатели на основе монокристаллов двуокиси ванадия с уникальными свойствами: резкая и обратимая...