В России начата разработка безмасочного фотолитографического оборудования техпроцессов 16-28 нм
Минпромторг России выделил средства на создание безмасочного рентген-фотолитографа «на базе синхротронного и/или плазменного источника» Национальному исследовательскому университету «МИЭТ» (Зеленоград). Стартует разработка технологии для создания в будущем отечественной установки фотолитографии на базе экстремального ультрафиолетового (ЭУФ или EUV, рентгеновского) источника излучения с длиной волны менее 13,5 нм. Такие фотолитографы рассчитаны на достижение проектных норм вплоть до 10 нм и менее, сегодня их разрабатывает и производит в мире только одна компания – ASMLithography (Нидерланды).
У зеленоградских ученых уже есть наработки в направлении безмасочной EUV-фотолитографии, в том числе исследования, проведённые совместно с другими российскими научными коллективами. В проекте будут задействованы также другие предприятия города – компания ЭСТО и зеленоградский синхротрон («технологический накопительный комплекс (ТНК) «Зеленоград» НИЦ «Курчатовский институт»).
Создание технологии и оборудования на базе действующих и запускаемых в стране синхротронов, в частности, на синхротроне ТНК «Зеленоград», а также на базе отечественных плазменных источников, позволит обрабатывать полупроводниковые пластины с проектными нормами 28 нм, 16 нм и ниже. Отечественные и мировые аналоги технологии безмасочной рентгеновской нанолитографии и разрабатываемого оборудования отсутствуют.
Интересно, что в России в 2010-е годы уже начинали разработку EUV-фотолитографа. Оптической системой, ее элементами и интерференционными покрытиями, созданием прототипа самой установки занимался коллектив разработчиков из Института физики микроструктур (ИФМ) РАН (филиал Института прикладной физики РАН – ИПФ) в Нижнем Новгороде. Источник излучения разрабатывался в Институте спектроскопии (ИСАН) РАН в подмосковном Троицке. Исследователи предложили оригинальные решения конструкций источников излучения, частично их даже применили …в голландской ASMLithography. А отечественный проект завершился на стадии макета. Надо понимать, что это весьма интересная история для изучения: как получилось так, что в итоге Запад использует наши разработки, а мы нет?
Отметим, что в России сейчас пока могут выпускать микропроцессоры по технологии 90 нм и выше. При этом основные передовые разработки наших инженеров (многоядерные процессоры «Эльбрус», «Байкал», продукция НПЦ ЭЛВИС и т.д.) созданы с проектными нормами 28 нм и ниже. То есть спроектированные в нашей стране продукты выпускались по привычной для западного мира модели fabless на контрактной основе на иностранном предприятии TSMC (Тайвань). Несмотря на многочисленные заявления после 2014 года о стратегической необходимости разработки своих технологий и создания затем российского производства, процесс тянулся до марта 2022 года, когда «санкции» всё-таки заставили ответственных лиц начать финансирование важного для всей страны направления технологического развития.
Кстати, сразу разочаруем всех фанатов шапкозакидательства. Начатый проект это долгосрочная разработка, которая не раньше, чем через несколько лет приведет к появлению готового оборудования. Если же мы всё-таки решили, что нам в России и вправду нужно ВСЁ СВОЁ в производстве микроэлектроники, то на это уйдет как раз минимум десятилетие. Почему «как раз»? А это ровно столько времени, сколько уже идут разговоры в ИТ-сфере о реальном импортозамещении при производстве микропроцессоров…
