В России выделено финансирование на создание материалов для диодных лазеров для радиоэлектронной промышленности

В 2025-2026 годах по госпрограмме в России будет выполнена разработка технологии и создано опытно-промышленное производство квантоворазмерных гетероэпитаксиальных структурах на базе отечественных кристаллов и подложек арсенида галлия для отечественных лазерных полупроводниковых диодов. Данные материалы необходимы для систем накачки твердотельных лазеров в спектральном диапазоне 0,9-0,99 мкм и в диапазоне 0,75-0,9 мкм. Что касается уже лазеров, то они будут использоваться в российской промышленности при выпуске микроэлектроники, в аддитивном производстве и другой сложной технике. Подчеркивается, что вся разработка будет выполнена на отечественных материалах. О выделенном финансировании стало известно в ноябре 2024 года.

Известно, что разрабатываемые в рамках проекта квантоворазмерные гетероэпитаксиальные структуры на подложке GaAs состоят из монокристаллической подложки арсенида галлия (GaAs) и выращенных на одной из ее сторон методом молекулярно-лучевой эпитаксии и методом осаждения эпитаксиальных слоев твердых растворов полупроводниковых соединений на основе системы In Ga-As (Al-Ga-As). Структура должна обеспечивать возможность изготовления на ее основе лазерных диодов излучающих на длинах волн в диапазоне 0,9- 0,99 мкм и в диапазоне 0,75-0,9 мкм.

Добавим, что в ноябре 2024 года в России также запущена разработка и освоение производства гелий-неоновых лазеров и фотоприемников для систем позиционирования оборудования, применяемого в производстве интегральных схем с топологическими нормами до 65 нм. Такое оборудование будет использоваться в ранее приобретенных иностранных и создаваемых отечественных литографах.