В России успешно ведутся разработки в сфере СВЧ-электроники
«Техносфера. Россия» недавно писала о создании и запуске в серийное производство импульсных LDMOS-транзисторов (см. https://tehnoomsk.ru/archives/12707) предприятием «НИИЭТ» из Воронежа. Расскажем еще немного о данном направлении разработок, а также о других перспективных проектах в сфере СВЧ-электроники, которые реализуют еще 2 российских организации – НИЯУ МИФИ и «Микроволновые системы».
Новые российские LDMOS-транзисторы, созданные в «НИИЭТ», являются важным направлением работ в отечественной СВЧ-электронике. Это линейка из 5 импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1 КВт, используемых в авиационном бортовом оборудовании и радарных системах в UHF-, L- и S-диапазонах. Используется своя российская LDMOS-технология (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors, англ.). Разработанные транзисторы высокой мощности позволят заменять иностранные аналоги, нарастить дальность действия радиолокаторов, сократить количество используемых усилительных элементов, и тем самым снизить размеры и массу оборудования. Известно, что стоимость новых российских LDMOS-транзисторов из Воронежа ниже зарубежных.
Национальный исследовательский ядерный университет «Московский инженерно-физический институт» (НИЯУ МИФИ, Москва) разработал радиационно-стойкий СВЧ-усилитель в интегральном исполнении для использования в космической и телекоммуникационных отраслях. В процессе создания новинки исследователи столичного вуза также усовершенствовали методологию проектирования радиационно-стойких устройств.
Отечественное предприятие «Микроволновые системы» (Москва, Санкт-Петербург, Саратов, Нижний Новгород) проектирует и производит собственные СВЧ-устройства (твердотельные усилители, транзисторы, приемо-передающие модули, монолитные и гибридные интегральные микросхемы). В серийном производстве здесь находятся усилители различной выходной мощности (0,1-150 Вт) для октавных и многооктавных полос частот (0,5-22 ГГц). Для радиолокационных систем с активной фазированной антенной решеткой (АФАР) на предприятии созданы и выпускаются импульсные усилители мощности со встроенными источниками вторичного питания с предельно низким уровнем вносимых фазовых и амплитудных флуктуаций. Также для РЛС с АФАР недавно разработан и начат выпуск новых приемо-передающих модулей X- и Ku-диапазонов.
Это только несколько примеров, говорящих о том, что в нашей стране активно и успешно ведутся разработки в сфере СВЧ-электроники. Все они важны для технологической независимости и стабильного обеспечения российских производителей радиоэлектронных устройств отечественными компонентами.
