Российские военные заказывают новые разработки по микроэлектронике

В начале этого месяца я уже писал про резко возросшее число ОКР’ов по космической электронике в своей статье «Россия вплотную занялась военными спутниками. Пошли ОКР’ы на космическую ЭКБ, фотоприёмники и СВЧ!». Так вот, месяц ещё не закончился, а Минпромторг разразился очередной серией ОКР’ов по теме электроники в части, насколько я понимаю, навигации и прицелов, что свидетельствует о серьёзной активной работе по этим направлениям.

Основанием для выполнения этих ОКР значится государственная программа Российской Федерации «Развитие оборонно-промышленного комплекса». Сроком окончания работ проставлена дата 30 ноября 2026 г., как и в большинстве предыдущих ОКР’ов.

Ниже я перечислю все новые ОКР’ы, а в качестве иллюстраций приведу изображения ближайших иностранных функциональных аналогов указанных изделий, чтобы широкий читатель хотя бы приблизительно представлял, о чём идёт речь.

ОКР’ы от 14 июня 2024 года

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства интегральной микросхемы навигационного процессора, предназначенного для обработки кодовых сигналов санкционированного доступа», шифр «Схема-100»

В состав микросхемы должны входить следующие функциональные узлы:

— процессорное ядро с разрядностью 32;
— арифметический сопроцессор с поддержкой вычислений с плавающей точкой с разрядностью 64;
— количество корреляционных каналов обработки навигационных сигналов: не менее 96;
— блок доступа к сигналам санкционированного использования: количество генераторов анти-имитационной последовательности не менее 32, количество декодеров специальной цифровой информации не менее 2;
— блок однократно программируемой памяти;
— оперативная память объемом 1 Мб
— блок флеш-памяти;
— блок генераторов опорных ПСП;
— блок быстрого поиска навигационных сигналов;
— блок формирования прерываний центрального процессора;
— блок формирования метки времени;
— блок каскадирования корреляторов;
— коммутатор входных оцифрованных сигналов;
— блок аппаратных декодеров Витерби;
— блок периферийных контроллеров (UART);
— схему формирования тактовых частот на основе PLL.

Разрабатываемая микросхема должна поддерживать:

– возможность приема следующих сигналов спутниковых радионавигационных систем:
ГЛОНАСС: L1OF, L2OF, L1SF, L2SF, L1OC, L2OC, L1SC, L2SC, L2КСИ;
GPS: C/A, L2C;
Beidow: B1, B2;
Galileo: E1, E5;
– конфигурирование программы центрального процессора по интерфейсу jtag;
– возможность каскадирования каналов коррелятора;

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства высокочувствительного гибридного телевизионного модуля ближнего инфракрасного диапазона со встроенной электронно-чувствительной матрицей ППЗ для обзорно-следящих бортовых систем», шифр «Фонон-22»

Целью работы является разработка и освоение в серийном производстве гибридного телевизионного модуля (1 тип) с электронно-чувствительной матрицей с переносом заряда, облучаемой с обратной стороны, и высокочувствительным фотокатодом для ближней ИК-области.

Изделие должно состоять из фотоприёмного устройства (содержащего в вакуумно-плотной оболочке фотокатод для ближней ИК области и электронно-чувствительную матрицу с переносом заряда), термоэлектрического охладителя и корпуса.

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства охлаждаемого фотоприемного устройства форматом 640×512 элементов с шагом 15 мкм на спектральный диапазон 8-12 мкм», шифр «Фонон-23»

Целью работы является разработка и освоение серийного производства охлаждаемого фотоприемного устройства форматом 640×512 элементов с шагом 15 мкм на спектральный диапазон 8–10 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ.

Полноформатное матричное фотоприемное устройство ИК диапазона спектра разрабатывается для создания инфракрасных оптико-электронных систем перспективных авиационных комплексов, перспективных инфракрасных оптико-электронных систем круглосуточного обнаружения, точного наведения и управления огнем, тепловизионных каналов бронетанковой техники и систем управления огнем.

ОКР’ы от 20 июня 2024 года

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства полупроводникового импульсного лазера на длину волны 0,808 мкм с повышенной рабочей температурой», шифр «Фонон-34»

Целью работы является разработка и освоение в серийном производстве на отечественном предприятии полупроводникового импульсного лазера на длину волны 0,808 мкм с повышенной рабочей температурой.

Разрабатываемый импульсный лазерный полупроводниковый импульсный лазер на длину волны 0,808 мкм должен обладать повышенными показателями надежности и внешних воздействующих факторов.

Прямые импортные и отечественные аналоги отсутствуют.

Изделие состоит из набора лазерных диодов, соединенных токоведущими проводниками, основания корпуса, крышки корпуса с выходным окном и токопроводящих выводов.

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства усилителей мощности в диапазоне частот от 2 до 47 ГГц с выходной мощностью до 15 Вт», шифр «Одноцветник-85»

Целью выполнения ОКР является разработка 8 типов усилителей мощности в диапазоне частот от 2 до 47 ГГц, предназначенных
для использования в аппаратуре специального применения.

На этапе технического проекта ОКР должен быть проведен анализ состояния и перспектив развития изделий с учётом тенденций совершенствования технологии и конструкций по данному направлению создания ЭКБ.

Изделия выполняются в двух конструктивно-технологических исполнениях: бескорпусное в виде одного кристалла и в металлокерамическом корпусе.

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства линейки фотодиодов с низким порогом для неконтактных датчиков цели нового поколения», шифр «Фонон-28»

Целью работы является разработка и освоение серийного производства линейки фотодиодов с низким порогом чувствительности для неконтактных датчиков, оптимизированной для приема излучения с длиной волны 0,85-0,95 мкм.

Устройство состоит из многоэлементного лавинного фотодиода, металлокерамического корпуса и крышки с входным окном.

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства полупроводникового импульсного лазера для неконтактного датчика цели нового поколения», шифр «Фонон-31»

Целью работы является разработка и освоение в серийном производстве мощного полупроводникового импульсного лазера (1 тип, 2 типономинала) со средней мощностью импульса излучения не менее 50 Вт, и:
1. длительностью импульса лазерного излучения 100 нс и частотой повторения импульсов лазерного излучения не менее 30 кГц (1 типономинал),
2. длительностью импульса лазерного излучения 3-10 нс и частотой повторения 100 кГц (2 типономинал).

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства оптического кабеля стойкого к многократным изгибам», шифр «Фонон-32»

Целью работы является разработка и освоение серийного производства многоволоконных грузонесущих гибких оптических кабелей двух типов группы Тп по ГОСТ РВ 6015-005-2018.

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства радиационно-стойкой интегральной схемы PLC-разветвителя для приемо-передающих модулей волоконно-оптической связи», шифр «Фонон-35-Т»

Целью ОКР является разработка и освоение серийного производства параметрического ряда интегральных оптических волноводных разветвителей (PLC) следующих конфигураций 1×2, 2×2, 1×4, 2×4, 1×8, 2×8, 1×16, 2×16, 1×32, 2×32 для работы в волоконно-оптических линиях передачи информации
с рабочим спектральным диапазоном длин волн от 1330 нм до 1550 нм.

• ОКР «Разработка и освоение серийного производства радиационно-стойкого суперлюминесцентного диода с длиной волны излучения 1,55 мкм», шифр «Фонон-37-Т»

Целью работы является разработка и освоение в серийном производстве радиационно-стойкого суперлюминесцентного диода с длиной волны излучения 1,55 мкм для волоконно-оптических гироскопов.

Диод состоит из активного (излучающего) элемента, термоэлектрического охладителя, терморезистора, отрезка одномодового волокна и корпуса с выводами.