Новые российские LDMOS-транзисторы запустят в серию в 2024 году
Как сообщили 20 мая 2024 года представители «Научно-исследовательского института электронной техники» (НИИЭТ, Воронеж), предприятие успешно завершило испытания и готовится к началу серийного производства текущем году первых отечественных транзисторов для цифрового эфирного телевизионного вещания. Это LDMOS-транзисторы КП9171А и КП9171БС. Оба изделия находятся на уровне аналогичных иностранных разработок. Интересно, что КП9171БС это еще и первый отечественный несимметричный транзистор, созданный для применения в схемах Догерти.
Выпуск созданных в Воронеже транзисторов для работы в передатчике сигнала стандартов DVB-T/ DVB-T2 цифрового ТВ начат на российском предприятии «Микрон». Как сообщает разработчик, в ходе создания новых устройств удалось серьезно доработать саму технологию LDMOS, выйдя на высокую удельную выходную мощность и малые значения емкостей. Отмечается, что новые транзисторы могут работать не только в усилителях телевизионных сигналов, но и в системах радиолокации и навигации.
Представители «Научно-исследовательского института электронной техники» приводят следующие технические характеристики своих LDMOS-транзисторов:
- КП9171А: коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц. Транзистор обладает практически двукратным запасом по мощности 250 Вт.
- КП9171БС: коэффициент усиления по мощности – не менее 18,6 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 50%, значение параметра IMDSHLDR – не более -33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц. Транзистор обеспечивает до 1кВт пиковой импульсной мощности.