Российское предприятие показало свои разработки ЭКБ на основе арсенида галлия и не только
Компания «Оптрон» (Москва) в апреле 2024 года представила на российской специализированной выставке «Связь-2024» свою современную продукцию, созданную для замены импортных компонентов электронной компонентной базы (ЭКБ), использовавшихся в отечественной радиоэлектронной аппаратуре. В их числе корпусированные диоды различных типов для поверхностного монтажа, лавинные фотодиоды на основе кремния и арсенида галлия-индия, гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов A3B5.
Как сообщает пресс-служба холдинга «Росэлектроника», в состав которого входит «Оптрон», новые корпусированные диоды предназначены для выпускаемого на российских предприятиях оборудования различного назначения. Это радиостанции, радиодальномеры и радиовысотомеры, аппаратура шифрования сигналов, маршрутизаторы, бортовое оборудование летательных аппаратов и радиолокационные станции (РЛС).
Также на предприятии «Оптрон» создана своя технология выращивания гетероструктур на основе полупроводниковых материалов A3B5 и работает собственная производственная линия для их серийного выпуска. Данные гетероструктуры создаются на базе арсенида галлия, нитрида галлия, карбида кремния и служат базой для производства любых лазерных диодов, светодиодов и фотоприемников.
Что касается лавинных фотодиодов на основе кремния и арсенида галлия-индия, то они используются в сфере машинного зрения, телекоммуникации и лазерных технологий. Лавинный фотодиод преобразует свет в электрический сигнал и является высокочувствительным полупроводниковым прибором.
