Разработана технология российского лазера на свободных электронах с длиной волны 10 нм
В Институте ядерной физики имени Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН, Новосибирск) создали при государственной поддержке проект лазера на свободных электронах для использования в рентгеновской литографии при производстве микроэлектроники. Новый лазер имеет длину волны около 10 нм.
По информации разработчиков, излучение с длинами волн порядка 10 нм сегодня используется в микроэлектронной промышленности для изготовления электронных микросхем с большой плотностью элементов методом рентгеновской литографии. Применение лазеров по новой технологии позволить нарастить производительность оборудования микросхем.
Особо стоит отметить, что в проекте российских ученых применены многочисленные новые элементы, такие как магнитная система электронного накопителя с отрицательным коэффициентом расширения орбит, поворотные магниты с большой вертикальной апертурой на основе постоянных магнитов, низкочастотные ускоряющие резонаторы и ряд других.
На рисунке вверху: схема одного из ключевых элементов нового российского лазера на свободных электронах — оригинального спирального ондулятора (магнитной системы с периодическим поперечным магнитным полем, в которой электроны высокой энергии движутся по спиральной траектории) на постоянных магнитах с переменным периодом.
СПРАВКА:
- Лазер на свободных электронах представляет собой устройство для преобразования кинетической энергии релятивистских электронов в энергию коротковолнового электромагнитного излучения. Такой лазер использует эффект вынужденного ондуляторного излучения для усиления электромагнитных волн.
- Рентгеновская литография – это освещение пластины из специального материала через наложенный на него металлический транспарант с отверстиями нужной формы, а затем удаление засвеченных участков материала травлением.
По информации ИЯФ СО РАН
