Про новые российские транзисторы по LDMOS-технологии и другие радиоэлектронные разработки из Воронежа
В «НИИ электронной техники» (АО «НИИЭТ», Воронеж) в 2023 году разработаны два новых отечественных СВЧ-транзистора по технологии LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor). Первый из них имеет обозначение КП9171А и уже тестируется в радиоэлектронном оборудовании, второй — КП9171БС. Оба транзистора предназначены для российской телевизионной аппаратуры стандартов цифрового вещания DVB-T/DVB-T2. Новые транзисторы по LDMOS-технологии обладают необходимыми характеристиками: так, КП9171А имеет коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более –30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.
НИИЭТ является первым в России предприятием, серийно выпускающим силовые транзисторы по технологии GaN на кремнии. Направление по нитриду галлия развивается: воронежские инженеры создали ряд силовых GaN-приборов, включая нормально закрытые транзисторы с допустимым напряжением сток–исток от 100 до 650 В. В будущем на предприятии при господдержке планируют создание постростового производства по технологии нитрид-галлий на кремнии полного цикла.
Ведутся в «НИИ электронной техники» и собственные разработки процессоров и микроконтроллеров. По программе импортозамещения создан микроконтроллер 1874ВЕ10АТ, имеются реализованные проекты по микроконтроллерам в пластиковых корпусах. В 2023 году стала доступна заказчикам 8-разрядная микро-ЭВМ К1946ВМ014 RISC-архитектуры, в 2024 году в серийное производство запустят новые российские 32-разрядные микроконтроллеры К1946ВК028 и К1946ВК035 (малогабаритный) с периферией для управления электроприводами. Создан и готов к поставкам ультранизкопотребляющий микроконтроллер К1921ВГ015 на ядре RISC-V. По состоянию на декабрь 2023 года в Воронеже велись разработки еще 4 микросхем на ядре RISC-V, в том числе 2-ядерный, универсальный энергоэффективный микроконтроллеры, а также микроконтроллеры для портативных систем и для устройств «интернета вещей».
