10.04.2017

В России начато производство мощных диодов на основе арсенида галлия – арсенида алюминия

zl148a1_scheme_0.jpg

Разработанные НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП) из Томска, мощные излучающие диоды 3Л148А1 на основе твердых растворов арсенида галлия – арсенида алюминия, запущены в серийное производство. 25-27 апреля новинка будет показана в Москве на Международной выставке «ЭкспоЭлектроника», которая состоится в МВЦ «Крокус Экспо».

Эти полупроводниковые приборы используются в качестве источника инфракрасного излучения в системах оптической связи с открытым каналом, дальнометрии, охраны периметра, подсветки видеосъемки, а также для задач имитации целей и организации или подавления систем ночного видения.

В специализированных СМИ приводится информация, что такие диоды выпускаются с применением меза-планарной технологии в металлополимерном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод. Длина волны излучения составляет 870±15 нм. При проектировании применена оригинальная геометрия излучающего кристалла, согласованная со специально рассчитанной формой линзы, что обеспечивает уникальные характеристики прибора. Ведется подготовка к выпуску диодов с длиной волны излучения 905±15 нм.

Томский НИИПП также сообщает о начале производства специальных полупроводниковых источников света: единичных индикаторов в корпусе размером 3,5 х 2,8 мм, приспособленном для автоматизированного поверхностного монтажа, а также приборов для замены ламп накаливания типа СМ, МН и др. в оборудовании наземной, авиационной и морской техники.

Нравятся наши материалы? Вы можете помочь проекту!

1